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    2015
    08.07

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    iPhone 7閃存技術升級?提升速度與容量

    來源: 騰訊數碼   責任編輯:boxsin   字體大小:    

    iPhone 7閃存技術升級?提升速度與容量


    騰訊數碼訊  盡管蘋果下一代iPhone 6s和iPhone 6s Plus還未正式發布,但是關于這兩款新機的傳聞卻不斷的傳出。雖然iPhone的設計由蘋果完全負責,但是與眾多零部件供應商的合作也是盡人皆知的事情。比如三星作為蘋果的死對頭,雖然之前各種打官司,但是依然沒有妨礙三星始終作為蘋果的主要供應商之一。

    幾天之前,SanDisk和東芝均推出了最新一代的NAND閃存,而根據最新的消息來看,這種新閃存將很有可能被應用到蘋果將在2016年推出的iPhone 7身上,帶來更快、更大的存儲速度和空間。

    兩家存儲巨頭開發出的世界首款256Gbit X3 48層3D NAND閃存,采用3bit/cell多值化技術,容量為32GB。簡單地說,這種32GB的閃存模塊無論是在速度還是效率上,都要超過任何現有的產品。目前,這種256Gbit X3芯片采用了15nm的工藝,比市面上最優秀的商用閃存芯片電路密度提高了2倍、存儲速度提高4-5倍,而能耗將進一步降低。并且,因為采用了3D堆棧技術,新芯片的面積將縮小,非常適合智能手機、平板電腦之類的設備。

    擁有如此優秀的供應商,蘋果當然不會輕易放棄。況且之前蘋果與SanDisk、東芝已經建立了合作伙伴關系,因此我們有理由相信蘋果會在第一時間為自己的產品使用這種最新的閃存技術。

    目前,SanDisk和東芝已經完成了今年向iPhone 6s、iPhone 6s Plus第一階段的供貨,而隨著新閃存技術的問世,我們將會在iPhone 7上看到兩家公司的新成果,同時未來的iPhone 7在存儲能力和數據傳輸速度上,也將大幅提升。


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